Структурный множитель кристалла

Структуру кристалла исследуют рассеянием частиц. Потенциал имеет вид $V(\mathbf x)=\sum_i v(\mathbf x-\mathbf X_i)$, где $\mathbf X_i$ — положения рассеивающих атомов, $v$ — потенциал одного атома. Считайте, что для всего кристалла применимо приближение Борна. (a) Представьте дифференциальное сечение в виде произведения двух множителей, один из которых зависит от $v$, другой — от набора $\mathbf X_i$. Оба могут зависеть от переданного импульса $\mathbf q$. (b) Кратко сопоставьте результат с брэгговским рассеянием.